Senin, 26 Maret 2012
Selasa, 20 Maret 2012
penyearah setengah glombang
dioda semi konduktor banyak di gunakan sebagai penyearah.
penyearah yang paling sederhana adalah penyearah sebuah dioda.melihat dari namanya maka hanya setengah glombang saja yang akan di searahkan. gambar 28 menunjukan rangkaian penyearah glombang mendapat masukan dari skunder trafo yang berupa sinyal ac berbentuk sinus,Vi=Vm sin ^t(gambar 28(b))
dari persamaan tersebut,Vm merupakan tegangan maksimum. harga Vm ini hanya bisa di ukur dengan CRO yakni dengan melihat langsung pada glombangnya. sedangkan pada umumnya harga yang tercantum pada skunder trafo adalah tegangan efektif. tegangan efektif (Veff) atau tegangan rms (Vrms) adalah
Vm
VEff=Vmrs= . . .=0,707 Vm
-2
tegangan (arus) efektif atau rms (root-mean-square)adalah tegangan (arus) yang terukur oleh volt meter (ampermeter).karena harga Vm pada umumnya jauh lebih bsar dari pada V- (tegangan cut-in dioda) maka pada pembahasan penyearah ini V- diabaikan prinsip kerja penyearah setengah glombang adalah bahwa pada saat sinyal input berupa siklus positif maka dioda dapat bias maju sehingga arus (i) mengalir ke beban (i) pada (c) dari gambar 28
untuk penyearah glombang di peroleh
Idc .1/2 Im t dt
Idc .Im/- - 0,318
tegangan keluaran dc yang berupa turun tegangan dc pada beban adalah :
Vdc=Idc . RL
apabila harga Rf jauh kecil dari RL, yang berarti Rf bisa di abaikan,maka:
Vm=Im.RL
sehingga:Vdc .Im.RL/-
Vdc .Vm/- - 0,318 Vm
apabila penyearah bekerja pada tegangan Vm yang kecil untuk memperoleh hasil yang lebih teliti maka tegangan cut in dioda (V-) perlu dipertimbangkan yaitu:
Vdc .0,318 .Vm & V-
dalam perencanaan rangkaian penyearah yang juga penting untuk diketahui adalah beberapa tegangan maksimum yang harus di tahan oleh dioda ini sering di sebut dengan istilah Piv (peak-inverse voltage) atau tegangan puncak balik. hal ini karena pada saat dioda mendapat bias mundur (balik) maka tidak arus yang mengalir dan semua tegangan dari sekunder trafo berada pada dioda.
Piv .Vm
(gambar 29 untuk glombang sinyal pada diod)
bentuk glombang sinyal pada dioda seperti gambar 28 dengan anggapan bahwa Rf dioda di abaikan, karena nilainya kecil sekali dibandingkan RL.sehingga pada saat siklus positif di mana dioda sedang on(mendapat bias maju).
terlihat turun tegangannya adalah nol. sedangkan saat siklus negatif, dioda sedang off(mendapat bias mundur) sehingga tegangan puncak dari sekunder trafo (Vm) semuanya berada pada dioda.
penyearah glombang penuh dengan trafo CT rangkaian penyearah glombang penuh ada dua macam,yaitu dengan menggunakan trafo CT (center-tap=tap tengah) dan dengan sistem jembatan. gambar 30 menunjukan rangkaian penyearah glombang penuh dengan menggunakan trafo CT terminal sekunder dari trafo CT mengeluarkan 2 buah tegangan keluaran yang sama tapi fasanya berlawanan titik CT sebagai titik tengahnya kedua keluaran ini masing masing di hubungkan ke D1 dan D2 sehingga saat D1 mendapat sinyal siklus negatif,dan sebaliknya.Dengan demikian D1 dan D2 hidup bergantian namun karena arus I dan I2 melewati tahanan beban (RL) dengan arah yang sama, maka iL menjadi satu arah (29c)
penyearah yang paling sederhana adalah penyearah sebuah dioda.melihat dari namanya maka hanya setengah glombang saja yang akan di searahkan. gambar 28 menunjukan rangkaian penyearah glombang mendapat masukan dari skunder trafo yang berupa sinyal ac berbentuk sinus,Vi=Vm sin ^t(gambar 28(b))
dari persamaan tersebut,Vm merupakan tegangan maksimum. harga Vm ini hanya bisa di ukur dengan CRO yakni dengan melihat langsung pada glombangnya. sedangkan pada umumnya harga yang tercantum pada skunder trafo adalah tegangan efektif. tegangan efektif (Veff) atau tegangan rms (Vrms) adalah
Vm
VEff=Vmrs= . . .=0,707 Vm
-2
tegangan (arus) efektif atau rms (root-mean-square)adalah tegangan (arus) yang terukur oleh volt meter (ampermeter).karena harga Vm pada umumnya jauh lebih bsar dari pada V- (tegangan cut-in dioda) maka pada pembahasan penyearah ini V- diabaikan prinsip kerja penyearah setengah glombang adalah bahwa pada saat sinyal input berupa siklus positif maka dioda dapat bias maju sehingga arus (i) mengalir ke beban (i) pada (c) dari gambar 28
untuk penyearah glombang di peroleh
Idc .1/2 Im t dt
Idc .Im/- - 0,318
tegangan keluaran dc yang berupa turun tegangan dc pada beban adalah :
Vdc=Idc . RL
apabila harga Rf jauh kecil dari RL, yang berarti Rf bisa di abaikan,maka:
Vm=Im.RL
sehingga:Vdc .Im.RL/-
Vdc .Vm/- - 0,318 Vm
apabila penyearah bekerja pada tegangan Vm yang kecil untuk memperoleh hasil yang lebih teliti maka tegangan cut in dioda (V-) perlu dipertimbangkan yaitu:
Vdc .0,318 .Vm & V-
dalam perencanaan rangkaian penyearah yang juga penting untuk diketahui adalah beberapa tegangan maksimum yang harus di tahan oleh dioda ini sering di sebut dengan istilah Piv (peak-inverse voltage) atau tegangan puncak balik. hal ini karena pada saat dioda mendapat bias mundur (balik) maka tidak arus yang mengalir dan semua tegangan dari sekunder trafo berada pada dioda.
Piv .Vm
(gambar 29 untuk glombang sinyal pada diod)
bentuk glombang sinyal pada dioda seperti gambar 28 dengan anggapan bahwa Rf dioda di abaikan, karena nilainya kecil sekali dibandingkan RL.sehingga pada saat siklus positif di mana dioda sedang on(mendapat bias maju).
terlihat turun tegangannya adalah nol. sedangkan saat siklus negatif, dioda sedang off(mendapat bias mundur) sehingga tegangan puncak dari sekunder trafo (Vm) semuanya berada pada dioda.
penyearah glombang penuh dengan trafo CT rangkaian penyearah glombang penuh ada dua macam,yaitu dengan menggunakan trafo CT (center-tap=tap tengah) dan dengan sistem jembatan. gambar 30 menunjukan rangkaian penyearah glombang penuh dengan menggunakan trafo CT terminal sekunder dari trafo CT mengeluarkan 2 buah tegangan keluaran yang sama tapi fasanya berlawanan titik CT sebagai titik tengahnya kedua keluaran ini masing masing di hubungkan ke D1 dan D2 sehingga saat D1 mendapat sinyal siklus negatif,dan sebaliknya.Dengan demikian D1 dan D2 hidup bergantian namun karena arus I dan I2 melewati tahanan beban (RL) dengan arah yang sama, maka iL menjadi satu arah (29c)
Selasa, 13 Maret 2012
Kurva Karakteristik Dioda
Hubungan antara besarnya arus yang mengalir melalui dioda dengan tegangan Va-k dapat dilihat pada kurva karakteristik dioda (gambar 20).
Gambar 20 menunjukkan dua macam kurva, yakni dioda germanium (Ge) dan dioda silikon (Si) pada saat dioda diberi bias maju, yakni bila Va-k positif, maka arus ID akan naik dengan cepat setelah Va-k mencapai tegangan cut-in (V_) tegangan cut-in (V_) ini kira-kira sebesar4 0.2 volt untuk dioda germanium dan 0.6 volt untuk dioda silikon. dengan pemberian tegangan sebesar ini maka potensial penghalang (barrier potential) pada persambungan akan teratasi sehingga arus dioda mulai mengalir dengan cepat.
Gambar 20 kurva karakteristik dioda
Bagian kiri bawah dari grafik pada gambar 19 merupakan kurva karakteristik dioda saat mendapatkan bias mundur. disini juga terdapat dua kurva, yaitu untk dioda germanium dan silikon. besarnya arus jenuh mundur (reverse saturation current) Is untuk dioda gemanium adalah dalam orde mikro amper dalam.
Contohini adalah dalam orde 1-A. sedangkan untuk dioda silikon Is adalah dalam orde nano amper. dalam hal ini adalah 10 nA. apabila tegangan Va-k yang berporalitas negatif tersebut dinaikkan terus, maka suatu saat akan mencapai tegangan patah (breakdown) dimana arus Is akan naik dengan tiba-tiba pada saat mencapai tegangan breakdown ini. pwmbawa minoritas dipercepat sehingga mencapai kecepatan yang cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari atom. kemudian elektron ini juga dipercepat untuk membebaskan yang lainnya sehingga arusnya semakin besar./ pada dioda biasa pencapaian tegangan breakdown ini selalu dihindari karena dioda bisa rusak.hubungan arus dioda (ID) dengan tegangan dioda (VD) dapat dinyatakan dalam persamaan matematis yang dikembangkan oleh W shockley, yaitu :
ID=IS (e (VD/n.VT)-1)
dimana := ID : arus dioda (amper)
Is : arus jenuh mundur (amper)
e : bilangan natural,2.7828
VD : beda tegangan pada dioda (volt)
n : konstanta,1 untuk Ge dan 2 untuk si
VT : tegangan ekifalen temperatur (volt)
harga Is suatu dioda di pengaruhi oleh temperatur,tingkat doping dan geometri dioda. Dan konstanta n tergantung pada sifat konstruksi dan para meter fisik dioda. Sedangkan harga VT ditentukan dengan persamaan.
Gambar 20 menunjukkan dua macam kurva, yakni dioda germanium (Ge) dan dioda silikon (Si) pada saat dioda diberi bias maju, yakni bila Va-k positif, maka arus ID akan naik dengan cepat setelah Va-k mencapai tegangan cut-in (V_) tegangan cut-in (V_) ini kira-kira sebesar4 0.2 volt untuk dioda germanium dan 0.6 volt untuk dioda silikon. dengan pemberian tegangan sebesar ini maka potensial penghalang (barrier potential) pada persambungan akan teratasi sehingga arus dioda mulai mengalir dengan cepat.
Gambar 20 kurva karakteristik dioda
Bagian kiri bawah dari grafik pada gambar 19 merupakan kurva karakteristik dioda saat mendapatkan bias mundur. disini juga terdapat dua kurva, yaitu untk dioda germanium dan silikon. besarnya arus jenuh mundur (reverse saturation current) Is untuk dioda gemanium adalah dalam orde mikro amper dalam.
Contohini adalah dalam orde 1-A. sedangkan untuk dioda silikon Is adalah dalam orde nano amper. dalam hal ini adalah 10 nA. apabila tegangan Va-k yang berporalitas negatif tersebut dinaikkan terus, maka suatu saat akan mencapai tegangan patah (breakdown) dimana arus Is akan naik dengan tiba-tiba pada saat mencapai tegangan breakdown ini. pwmbawa minoritas dipercepat sehingga mencapai kecepatan yang cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari atom. kemudian elektron ini juga dipercepat untuk membebaskan yang lainnya sehingga arusnya semakin besar./ pada dioda biasa pencapaian tegangan breakdown ini selalu dihindari karena dioda bisa rusak.hubungan arus dioda (ID) dengan tegangan dioda (VD) dapat dinyatakan dalam persamaan matematis yang dikembangkan oleh W shockley, yaitu :
ID=IS (e (VD/n.VT)-1)
dimana := ID : arus dioda (amper)
Is : arus jenuh mundur (amper)
e : bilangan natural,2.7828
VD : beda tegangan pada dioda (volt)
n : konstanta,1 untuk Ge dan 2 untuk si
VT : tegangan ekifalen temperatur (volt)
harga Is suatu dioda di pengaruhi oleh temperatur,tingkat doping dan geometri dioda. Dan konstanta n tergantung pada sifat konstruksi dan para meter fisik dioda. Sedangkan harga VT ditentukan dengan persamaan.
Transistor
Transistor
1.switch off
2. pemberian tegangan baru
Transistor merupakan peralatan yang mempunyai tiga lapisan NPN atau PNP dalam tentang oprasi arus kolektor Ic.merupakan fungsi dari arus basis Ib memberikan perubahan yang di perkuat pada arus kolektor untuk tegangan emitor. kolektor Vce yang di berikan perbandingan kedua ARUS ARUS INI DALAM ORDE 15-100.
Pada umumnya transistor berfungsi sebagai suatu switchieng(kontak on off). adapun kerja transistir yang berfungsi sebagai switching ini selalu berada pada daerah jenuh (satu rasi) dan daerah cut off (bagian yang di arsir pada gambar 21) transistor dapat bekerja pada daerah jenuh dan daerah cut offnya dengan cara melakukan pengaturan tegangan Vb dan rangkaian pada basisnya.(tahanan Rb) dan juga tahanan bebannya (Rl) untuk mendapatkan on off yang bergantian dengan periode tertentu dapat di lakukan memberikan tegangan Vb yang berupa pulsa,seperti pada gambar 24.
Apabila Vb=0,maka transistor off(cut off) sedangkan
apabila Vb=V1 dan dengan mengatur Rb dan Ri yang akan menyebabkan transistor dalam keadan jenuh.
pada keadaan ini Vce adalah kira kira sama dengan nol (Vsat=0,2 watt) bentuk output Vce yang terjadi pada gambar 23. dijelaskan adalah sebagai berikut (lihat gambar 22 dan 23)
pada kondisi Vb =0,harga Ic =0,dan berdasarkan LOOP.
Vcc +IcR +Vce sama dengan nol<di hasilkan Vce+Vcc
pada kondisi Vb =Vl ,harga Vce =nol dan Iv =I saturasi untuk mendapatkan arus Ic (I satu rasi) yang cukup besar padxa rangkayan switching ini, umumnya Rl di desain sedemikian rupa sehingga Rl mempunyai tahanan kecil.
1.switch off
2. pemberian tegangan baru
Transistor merupakan peralatan yang mempunyai tiga lapisan NPN atau PNP dalam tentang oprasi arus kolektor Ic.merupakan fungsi dari arus basis Ib memberikan perubahan yang di perkuat pada arus kolektor untuk tegangan emitor. kolektor Vce yang di berikan perbandingan kedua ARUS ARUS INI DALAM ORDE 15-100.
Pada umumnya transistor berfungsi sebagai suatu switchieng(kontak on off). adapun kerja transistir yang berfungsi sebagai switching ini selalu berada pada daerah jenuh (satu rasi) dan daerah cut off (bagian yang di arsir pada gambar 21) transistor dapat bekerja pada daerah jenuh dan daerah cut offnya dengan cara melakukan pengaturan tegangan Vb dan rangkaian pada basisnya.(tahanan Rb) dan juga tahanan bebannya (Rl) untuk mendapatkan on off yang bergantian dengan periode tertentu dapat di lakukan memberikan tegangan Vb yang berupa pulsa,seperti pada gambar 24.
Apabila Vb=0,maka transistor off(cut off) sedangkan
apabila Vb=V1 dan dengan mengatur Rb dan Ri yang akan menyebabkan transistor dalam keadan jenuh.
pada keadaan ini Vce adalah kira kira sama dengan nol (Vsat=0,2 watt) bentuk output Vce yang terjadi pada gambar 23. dijelaskan adalah sebagai berikut (lihat gambar 22 dan 23)
pada kondisi Vb =0,harga Ic =0,dan berdasarkan LOOP.
Vcc +IcR +Vce sama dengan nol<di hasilkan Vce+Vcc
pada kondisi Vb =Vl ,harga Vce =nol dan Iv =I saturasi untuk mendapatkan arus Ic (I satu rasi) yang cukup besar padxa rangkayan switching ini, umumnya Rl di desain sedemikian rupa sehingga Rl mempunyai tahanan kecil.
Dioda Semikonduktor
Berbagai jenis dioda semikonduktor
Didalam bidang elektronika, dikenal beberapa jenis dioda dengan aplikasi yang berbeda-beda yaitu dioda tabung, dioda sambungan p-n, dioda kotak titik (point-contact diode), zener, thyristor, LED (dioda pemancar cahaya) dan sebagainya.
Dioda memegang peranan yang amat penting dalam elektronika, di antaranya adalah untuk menghasilkan tegangan searah dari tegangan bolak balik, untuk mengesan gelombang radio, untuk membuat berbagai bentuk gelombang isyarat, untuk mengatur tegangan searah agar tidak berubah dengan beban maupun dengan perubahan tegangan jala-jala (PLN),untuk saklar elektronik, LED, laser semikonduktor, mengesan gelombang mikro dan lain-lain. Beberapa pengertian dasar daripada doda sambungan p-n digunakan pada transistor, sehingga apabila kita menguasai pengertian dasar dari dioda akan mudah pula untuk memahami sifat transistor.
transistor
transistor
transistor adalah komponen pasif yang digunakan untuk:
1.switch off
2.pemberian tegangan baru
Transistor through-hole (dibandingkan dengan pita ukur sentimeter)Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektot (C). Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar daripada arus input Basis, yaitu pada keluaran tegangan dan arus output Kolektor.
Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.
Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.
FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat diubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.
Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:
Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau
. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.
FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.
transistor adalah komponen pasif yang digunakan untuk:
1.switch off
2.pemberian tegangan baru
Transistor
Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.
Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.
Cara kerja transistor
Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda.Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.
FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat diubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.
[sunting] Jenis-jenis transistor
 | PNP |  | P-channel |
 | NPN |  | N-channel |
| BJT | JFET |
Simbol Transistor dari Berbagai Tipe
- Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide
- Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan lain-lain
- Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor yaitu IC (Integrated Circuit) dan lain-lain.
- Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
- Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power
- Maximum frekuensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave, dan lain-lain
- Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-lain
[sunting] BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau
. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.[sunting] FET
FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk sebuah diode dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah diode antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input.FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.
| |||||||||||||||||||||||
| ||
Selasa, 06 Maret 2012
konduktor
Pengertian Konduktor
Konduktor adalah bahan yang di dalamnya banyak terdapat elektron bebas mudah untuk bergerak.Tarikan antara elektron yang berada dalam edaran paling luar dan intinya adalah sangat kecil, hingga dalam suhu normal pun ada satu atau lebih elektron yang terlepas dari atomnya.Elektron bebas ini bergerak-gerak secara acak dalam ruang di celah atom-atom. Gerakan elektron-elektron ini dinamakan bauran ( difusi ).
Contoh penghantar : besi, tembaga, aluminium, perak, dan logam lainnya.
Langganan:
Komentar (Atom)